공정 통합 엔지니어, PI 엔지니어가 하는 일과 역량
공정 통합 엔지니어가 단위 공정을 하나의 흐름으로 엮어 소자 특성과 수율을 책임지는 업무와 필요한 역량, 단위 공정 엔지니어와의 차이를 정리합니다.
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멀티 패터닝, 더블과 쿼드 패터닝으로 해상도를 넘는 법
멀티 패터닝이 노광 해상도 한계를 넘는 원리를 LELE와 스페이서 기반 SADP, SAQP로 나누어 설명하고, 비용과 설계 제약, EUV와의 관계를 정리합니다.
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클린룸 등급, 팹에서 오염 관리가 중요한 이유
클린룸 등급이 ISO 14644 기준으로 무엇을 뜻하는지 정리하고, 단방향 기류와 FOUP, 금속과 분자 오염까지 팹의 오염 관리 원리를 설명합니다.
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수율 저하 원인, 결함 유형별 분석과 개선 방법
수율 저하 원인을 무작위 결함, 체계적 결함, 파라메트릭 손실로 나누어 정리하고, 웨이퍼 맵 분석과 유형별 개선 방법을 소개합니다.
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반도체 수율, 의미와 계산 방법을 한 번에 정리
반도체 수율의 의미와 라인, 다이, 패키징, 최종 테스트 수율 계산법을 정리하고, 결함 밀도와 칩 면적으로 보는 푸아송 수율 모델을 예시로 설명합니다.
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HKMG, High-k 메탈 게이트가 필요해진 배경
HKMG가 필요해진 배경을 게이트 산화막의 터널링 누설로 설명하고, High-k 절연막과 금속 게이트의 원리, 게이트 라스트 공정을 정리합니다.
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구리 배선, 알루미늄에서 구리로 바뀐 이유와 과제
구리 배선이 알루미늄을 대체한 이유를 저항과 전자 이동으로 설명하고, 다마신 공정과 확산 방지막, 미세화에 따른 새로운 과제를 정리합니다.
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CMP 공정, 웨이퍼를 평평하게 만드는 원리와 중요성
CMP 공정이 화학 반응과 기계적 연마로 웨이퍼를 평탄화하는 원리와 노광, 배선에 필수인 이유, 디싱과 이로전 같은 결함 관리를 정리합니다.
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이온 주입과 확산, 불순물을 넣는 두 가지 방법
이온 주입과 확산이 실리콘에 불순물을 넣는 원리와 차이를 비교하고, 도즈와 에너지 제어, 어닐링과 짧은 열처리의 필요성을 정리합니다.
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CVD PVD ALD 차이, 증착 공정의 원리와 용도 비교
CVD PVD ALD 차이를 막을 쌓는 원리와 단차 피복성, 증착 속도, 두께 제어로 비교하고, 칩의 어느 막에 어떤 방식을 쓰는지 정리합니다.
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