포토다이오드 원리, 빛이 전류가 되는 두 가지 동작 모드
포토다이오드 원리는 빛을 받은 PN 접합에 광전류가 흐르는 현상입니다. 두 동작 모드와 PIN, 애벌란시 구조, 응답도와 암전류를 정리합니다.
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태양전지 원리, PN 접합이 빛을 전류로 바꾸는 방식과 손실
태양전지 원리는 PN 접합이 빛으로 만든 전자와 정공을 갈라 전류로 꺼내는 것입니다. 개방 전압, 채움 계수와 효율 한계, 손실 요인을 풀어봅니다.
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레이저 다이오드, 단면 발광과 VCSEL의 공진 구조 차이
레이저 다이오드는 유도 방출과 광 공진기로 빛을 키웁니다. 단면 발광 레이저와 VCSEL의 구조 차이, 어레이 제작과 용도를 정리합니다.
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LED 발광 원리, 전자와 정공이 만나 빛이 되는 반도체 구조
LED 발광 원리는 PN 접합에서 전자와 정공이 재결합해 빛을 내는 것입니다. 직접 천이, 양자우물, 백색 LED와 열 문제를 정리합니다.
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산화갈륨 반도체, 밴드갭이 넓을수록 항복 전계가 높은 이유
산화갈륨 반도체는 밴드갭이 넓어 높은 전압을 얇은 층으로 버팁니다. 다이아몬드와 함께 장점과 한계, 연구 개발 단계에서의 위치를 정리합니다.
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전기차 인버터 반도체, 충전기와 구동계에 쓰이는 소자
전기차 인버터 반도체와 온보드 충전기에 쓰이는 소자를 정리합니다. 3상 브리지 구조와 IGBT와 SiC의 장단, 게이트 드라이버와 신뢰성 요구까지 다룹니다.
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전력 변환 회로 기초, 벅과 부스트를 손실로 읽는 법
전력 변환 회로 기초를 인덕터 전류와 듀티비, 동기 정류, 손실 항목으로 정리합니다. 소자 선택이 효율을 가르는 이유도 가상 계산으로 확인합니다.
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GaN HEMT 구조, 2DEG가 고주파 고효율을 만드는 원리
GaN HEMT 구조에서 도핑 없이 전자층이 생기는 이유와 노멀리 온 문제, 전류 붕괴, 고주파 동작이 가능한 까닭을 층 구조를 따라 풀어 봅니다.
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SiC 기판 결함, 적층 결함과 BPD가 소자를 해치는 과정
SiC 기판 결함이 소자 수율과 수명을 흔드는 이유를 풀어 봅니다. 마이크로파이프와 기저면 전위, 쌍극자 열화, MOS 계면 문제까지 짚어 봅니다.
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IGBT와 MOSFET 선택 기준, 손실 균형으로 가르는 법
IGBT와 MOSFET 선택 기준을 도통 손실과 스위칭 손실로 풀어 봅니다. 테일 전류와 고전압 온저항이 갈리는 지점을 소자 구조로 설명합니다.
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