조동사 do 강조, 대동사 do와 뒤 형태로 구별
조동사 do 강조는 do 뒤에 동사원형이 오고, 대동사 do는 앞 동사를 대신해 홀로 섭니다. do 뒤 형태로 둘을 가르는 법을 풀어봅니다.
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It is that 강조 구문, 뒤 문장으로 가려내기
It is that 강조 구문은 가주어-진주어 구문과 생김새가 같지만, that 뒤 절이 완전한지로 둘을 가려내는 원리를 예문으로 풀어봅니다.
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SRAM 비트셀 미세화가 로직보다 느려진 이유
SRAM 비트셀 미세화가 로직보다 더딘 이유를, 여섯 트랜지스터의 구조적 한계와 공정 변동성이라는 두 축으로 나누어 풀어봅니다.
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낸드 읽기 교란과 프로그램 교란이 생기는 이유
낸드 읽기 교란은 반복된 읽기가 이웃 셀을 흔드는 현상입니다. 읽기 교란과 프로그램 교란이 생기는 원리와 대응 방법을 함께 풀어봅니다.
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셀 아래 페리와 웨이퍼 본딩형 3D 낸드 비교
셀 아래 페리는 주변 회로를 셀 어레이 밑에 넣는 구조입니다. CuA와 웨이퍼 본딩형 3D 낸드의 공정과 장단점을 비교해 봅니다.
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3D 낸드 채널 홀 식각과 워드라인 교체의 원리
3D 낸드 채널 홀은 수직 적층을 관통하는 전자의 통로입니다. 채널 홀 식각과 희생막을 금속으로 바꾸는 워드라인 교체 공정을 풀어봅니다.
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낸드 셀 간섭과 문턱 전압 분포를 관리하는 원리
낸드 셀 간섭은 이웃 셀의 전하가 문턱 전압을 밀어내는 현상입니다. 간섭의 원인과 문턱 전압 분포를 좁게 관리하는 원리를 풀어봅니다.
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낸드 ISPP 프로그램, 조금씩 써 올려 검증하는 법
낸드 ISPP 프로그램은 문턱 전압을 작은 펄스로 조금씩 올리고 매번 검증해 분포를 좁히는 방식입니다. 그 프로그램과 검증 원리를 풀어봅니다.
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DRAM 주변 회로, 셀 밖에서 메모리를 움직이는 일
DRAM 주변 회로는 셀 어레이 밖에서 주소를 풀고 전압을 만들며 데이터를 주고받는 페리 영역입니다. 그 역할과 구조를 원리로 풀어봅니다.
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4F2 DRAM, 수직 채널 트랜지스터로 가는 길
4F2 DRAM은 셀 하나를 최소 선폭의 네 배 면적에 담는 가장 조밀한 구조로, 수직 채널 트랜지스터가 열쇠입니다. 그 원리와 과제를 풀어봅니다.
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