렌즈 수차와 제르니케 계수, 파면 오차가 패턴에 미치는 영향
렌즈 수차와 제르니케 계수. 구면 수차·코마·비점 수차를 제르니케 다항식으로 분해하고 각 수차가 선폭과 초점·위치를 흔드는 원리를 정리합니다.
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웨이퍼 스테이지와 정렬 시스템, 나노미터 위치를 맞추는 법
웨이퍼 스테이지. 계측과 노광을 동시에 수행하는 트윈스캔 구조와 정렬 마크 회절광·레이저 간섭계로 오버레이를 맞추는 원리를 정리합니다.
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화학증폭형 레지스트, 산 촉매와 PEB로 감도를 높이는 법
화학증폭형 레지스트. 광산발생제(PAG)가 만든 산이 노광 후 베이크(PEB)에서 연쇄 탈보호 반응을 일으키는 원리와 한계를 정리합니다.
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피치 워킹, 스페이서 패터닝에서 배선 간격이 어긋나는 이유
피치 워킹. 자기정렬 더블·쿼드 패터닝(SADP·SAQP)에서 맨드릴 선폭과 스페이서 두께 오차로 배선 간격이 어긋나는 원리를 정리합니다.
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EUV 마스크 3D 효과, 비스듬한 입사각이 만드는 섀도잉
EUV 마스크 3D 효과. 약 6도 기울어진 반사광 경로와 흡수체 두께 때문에 생기는 그림자(섀도잉) 현상과 Low-n 흡수체 해법을 설명합니다.
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커브리니어 마스크와 멀티빔 라이터, 곡선 패턴을 그리는 이유
커브리니어 마스크. 직각 계단 모양 대신 부드러운 곡선으로 공정 마진을 넓히는 원리와 이를 구현하는 멀티빔 마스크 라이터를 설명합니다.
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