GAA 나노시트 폭 조절, 폭 양자화를 넘어 성능을 높이는 법
GAA 나노시트 폭 조절. FinFET의 폭 양자화 한계를 넘어 연속적인 시트 폭 설계로 고성능과 저전력 회로를 최적화하는 원리를 살펴봅니다.
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FinFET 핀 높이와 핀 개수, 전류와 폭 양자화의 원리
FinFET 핀 높이와 핀 개수. 3차원 채널의 유효 폭을 결정하는 수식과 폭 양자화 제약, 디폴퓰레이션에 따른 기생 커패시턴스 교환 관계를 살펴봅니다.
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