반도체 8대 공정은 각각의 단계가 정밀성과 고도의 기술력을 요구하는 복잡한 과정입니다. 웨이퍼 제조부터 패키징에 이르기까지, 모든 과정이 치밀하게 설계되고 실행되어야만 고성능 반도체를 생산할 수 있습니다.

Marking 공정은 반도체 패키지의 표면에 다양한 정보를 새기는 작업입니다. 이 작업은 레이저, 잉크젯 프린팅, 또는 기타 방식으로 이루어지며, 새겨지는 정보는 다음과 같습니다.

Molding 공정은 반도체 칩과 기판이 전기적으로 연결된 후, 이를 특수 수지(Epoxy Mold Compound, EMC)로 감싸는 과정입니다. 이 수지는 열경화성 재료로, 높은 온도와 압력을 통해 칩과 기판 주위에 단단한 보호막을 형성합니다.

Wire Bonding은 반도체 칩과 패키지 서브스트레이트(기판) 또는 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 공정입니다. 이 과정에서 매우 가는 금속 와이어를 사용하여 칩과 외부 연결부를 접속하며, 일반적으로 알루미늄(Al)이나 금(Au) 와이어가 사용됩니다.

Die Attach는 반도체 칩(Die)을 패키지의 기판(Substrate)이나 리드 프레임(Lead Frame)에 부착하는 과정을 말합니다. 이 공정은 단순히 칩을 붙이는 작업이 아니라, 반도체 칩이 기판과 전기적으로 연결되고, 물리적으로 고정되도록 하는 핵심 단계입니다. 이 과정을 통해 반도체 칩은 안정적인 성능과 수명을 보장받습니다.

Laser Grooving은 레이저를 이용해 웨이퍼 표면에 미세한 홈(Groove)을 만드는 공정입니다. 이 과정은 반도체 다이(Die)를 효율적으로 분리하기 위해 다이싱(Dicing) 전에 수행됩니다. 주로 웨이퍼의 특정 경계선(scribe line)에 적용되며, 물리적인 응력과 열 손상을 최소화하여 정밀한 다이싱을 가능하게 합니다.

반도체 제조 과정에서 Assembly 공정은 칩의 실질적인 완성도를 결정짓는 중요한 단계입니다. 그중에서도 Backgrinding 공정은 웨이퍼를 얇게 연마하여 최종 반도체 칩의 두께와 구조를 조정하는 역할을 합니다.

Wafer Saw 공정은 웨이퍼(Wafer)를 개별 칩(Die)으로 절단하는 과정입니다. 반도체 웨이퍼는 반도체 칩이 미세하게 배치되어 있는 얇은 원형 실리콘 판입니다. 이러한 웨이퍼 위에는 수백 개에서 수천 개의 칩이 제작되며, 이 칩들을 최종적으로 개별적으로 분리하기 위해 절단하는 것이 바로 Wafer Saw 공정입니다.