나노임프린트 리소그래피, 틀로 찍어 회로를 옮기는 방식
나노임프린트 리소그래피의 원리와 열, 자외선 두 방식, 공정 흐름을 정리하고, 빛 없이 찍어 옮기는 방식의 장점과 결함, 오버레이 과제를 짚어 봅니다.
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High-NA EUV, 개구수를 키워 얻는 것과 치르는 대가
High-NA EUV가 개구수를 0.33에서 0.55로 키워 얻는 해상도와 그 대가인 초점 심도 감소, 아나모픽 광학, 절반 필드, 스티칭을 정리합니다.
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OPC와 컴퓨테이셔널 리소그래피, 마스크를 일그러뜨리는 이유
OPC와 컴퓨테이셔널 리소그래피가 필요한 이유를 회절에서 풀고, 규칙 기반과 모델 기반 보정, SRAF, SMO, ILT까지 단계별로 정리합니다.
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EUV 포토레지스트, 확률적 결함과 감도 해상도 맞교환
EUV 포토레지스트의 두 계열인 화학증폭형과 금속 산화물을 비교하고, 확률적 결함과 선폭 거칠기가 감도, 해상도와 맞물리는 구조를 풀어봅니다.
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플라즈마 식각 원리, 전자와 라디칼과 이온이 나눠 맡는 일
플라즈마 식각 원리를 전자, 라디칼, 이온의 역할로 풉니다. 시스 전압이 이온의 방향과 에너지를 정하는 과정과 바이어스 전력의 의미를 담았습니다.
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원자층 식각, 한 층씩 깎아 내는 원리와 기존 식각과의 차이
원자층 식각(ALE)이 개질과 제거 두 단계로 한 층씩 깎는 원리와, 연속 플라즈마 식각과의 차이, 장점과 한계를 차근차근 정리합니다.
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영역 선택적 증착, 원하는 면에만 막을 쌓는 원리
영역 선택적 증착(ASD)이 필요한 이유와 억제층을 쓰는 원리, 선택성이 무너지는 까닭과 보정 방법, 쓰이는 곳까지 차근차근 정리합니다.
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Low-k 절연막, 다공성 구조와 공정 손상의 딜레마
Low-k 절연막이 필요한 이유와 다공성 구조의 약점, 식각과 애싱에서 생기는 플라즈마 손상 및 흡습 문제, 대응 방법을 차근차근 정리합니다.
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듀얼 다마신 공정, 비아와 트렌치를 한 번에 채우는 순서
듀얼 다마신 공정의 순서를 비아 퍼스트와 트렌치 퍼스트, 장벽층과 도금, CMP까지 차례로 풀어 보고 채움과 정렬이 어려워지는 지점을 정리합니다.
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실리사이드 콘택, 접촉 저항을 낮추는 원리와 공정
실리사이드 콘택이 접촉 저항을 낮추는 원리와 샐리사이드 공정 순서, TiSi2에서 NiSi로 재료가 바뀐 이유, 텅스텐 플러그까지 정리합니다.
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