CXL 메모리, 데이터센터의 메모리 구조를 바꾸는 방식
CXL 메모리의 원리를 PCIe 기반 프로토콜과 장치 유형으로 설명하고, 메모리 확장·풀링·공유의 차이와 지연 시간이라는 한계를 함께 정리합니다.
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DDR LPDDR GDDR 차이, 용도별로 갈린 D램 설계
DDR LPDDR GDDR 차이를 인터페이스 폭, 실장 방식, 절전 기능으로 비교하고 서버와 스마트폰, 그래픽 카드가 각각 다른 D램을 쓰는 이유를 정리합니다.
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HBM 세대별 스펙, HBM부터 HBM4까지 달라진 것
HBM 세대별 스펙을 인터페이스 폭, 핀당 속도, 적층 높이, 채널 구성으로 나눠 HBM부터 HBM4까지 비교하고, 숫자가 바뀐 이유를 정리합니다.
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HBM 역할, AI 시대에 메모리가 핵심 부품이 된 이유
HBM 역할을 메모리 장벽과 AI 학습·추론의 대역폭 요구, 넓은 인터페이스와 2.5D 연결 구조, 와트당 대역폭, 원가와 공정 한계로 나눠 정리합니다.
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3D NAND 적층, 단수 경쟁만으로는 알 수 없는 것
3D NAND 적층 기술을 채널 홀 식각, 계단 구조, 멀티 데크, 주변 회로 배치로 나눠 살펴보고 단수만으로 경쟁력을 판단하기 어려운 이유를 정리합니다.
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NAND 플래시 원리, SLC부터 QLC까지 비트를 담는 법
NAND 플래시 원리를 문턱 전압, 플로팅 게이트와 전하 트랩, ISPP 프로그램과 블록 소거, 읽기 기준 전압, SLC부터 QLC까지의 차이로 정리합니다.
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DRAM 셀 구조, 커패시터 하나로 비트를 지키는 원리
DRAM 셀 구조를 1T1C 셀, 워드 라인과 비트 라인, 프리차지와 감지 증폭기, 파괴적 읽기와 복원, 매립 채널과 고종횡비 커패시터로 정리합니다.
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품질 비용 COPQ, 불량이 기업에 남기는 숨은 손실
품질 비용 COPQ를 예방, 평가, 내부 실패, 외부 실패 비용으로 나누고, 가상 숫자 예시로 불량이 기업의 이익과 신뢰에 미치는 영향을 분석합니다.
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실험계획법 DOE, 공정 최적화에 활용하는 방법과 예시
실험계획법 DOE의 기본 용어부터 2² 요인 실험 계산, 부분요인 설계, 반응표면법과 다구치 방법까지 반도체 공정 최적화 예시로 풀어 봅니다.
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품질 엔지니어와 신뢰성 엔지니어, 업무 차이를 한눈에 비교
품질 엔지니어와 신뢰성 엔지니어의 업무를 시간축, 도구, 협업 상대, 성과 지표, 경력 경로로 나눠 비교하고 두 직무가 만나는 지점을 정리합니다.
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