HKMG, High-k 메탈 게이트가 필요해진 배경
HKMG가 필요해진 배경을 게이트 산화막의 터널링 누설로 설명하고, High-k 절연막과 금속 게이트의 원리, 게이트 라스트 공정을 정리합니다.
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구리 배선, 알루미늄에서 구리로 바뀐 이유와 과제
구리 배선이 알루미늄을 대체한 이유를 저항과 전자 이동으로 설명하고, 다마신 공정과 확산 방지막, 미세화에 따른 새로운 과제를 정리합니다.
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CMP 공정, 웨이퍼를 평평하게 만드는 원리와 중요성
CMP 공정이 화학 반응과 기계적 연마로 웨이퍼를 평탄화하는 원리와 노광, 배선에 필수인 이유, 디싱과 이로전 같은 결함 관리를 정리합니다.
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이온 주입과 확산, 불순물을 넣는 두 가지 방법
이온 주입과 확산이 실리콘에 불순물을 넣는 원리와 차이를 비교하고, 도즈와 에너지 제어, 어닐링과 짧은 열처리의 필요성을 정리합니다.
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CVD PVD ALD 차이, 증착 공정의 원리와 용도 비교
CVD PVD ALD 차이를 막을 쌓는 원리와 단차 피복성, 증착 속도, 두께 제어로 비교하고, 칩의 어느 막에 어떤 방식을 쓰는지 정리합니다.
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건식 식각과 습식 식각, 원리와 쓰임의 차이 정리
건식 식각과 습식 식각의 원리를 플라스마와 화학 약품으로 비교하고, 이방성과 선택비 같은 지표, 깊은 구멍 식각의 난제와 쓰임을 정리합니다.
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EUV 노광, DUV와 비교해 보는 혁신과 난제
EUV 노광이 DUV와 광원, 광학계, 마스크에서 어떻게 다른지 비교하고, 공정 단순화라는 혁신과 확률적 결함 같은 남은 난제를 정리합니다.
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포토리소그래피 공정, 원리와 해상도를 정하는 변수
포토리소그래피 공정의 단계와 원리, 레일리 식으로 보는 파장, 개구수, k1 같은 해상도 변수와 초점 심도, 오버레이 관리를 정리합니다.
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웨이퍼 제조 과정, 잉곳 성장부터 연마까지 단계별 정리
웨이퍼 제조 과정을 폴리실리콘 정제, 초크랄스키법 잉곳 성장, 절단, 연삭, 연마, 세정까지 단계별로 정리하고 품질 관리 변수를 짚습니다.
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반도체 8대 공정, 한눈에 보는 공정 순서와 역할
반도체 8대 공정을 웨이퍼 제조부터 패키징까지 순서대로 정리하고, 공정별 역할과 핵심 과제, 직무와의 연결을 한 장의 지도로 보여 줍니다.
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