래치와 플립플롭, 트랜지스터로 값을 기억하는 원리
래치와 플립플롭이 인버터 두 개의 되먹임으로 값을 붙잡는 원리를 설명합니다. 투명 래치에서 마스터 슬레이브 구조까지 트랜지스터 수준으로 따라갑니다.
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BJT와 MOSFET 차이, 바이폴라 소자가 아직 쓰이는 곳
BJT와 MOSFET 차이를 제어 방식과 전류 흐름, 이득 특성으로 비교합니다. 디지털에서 밀려난 바이폴라가 아날로그와 전력에서 살아남은 이유까지 봅니다.
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MOSFET 누설 전류 세 종류, 원인과 대책을 구분해 보기
MOSFET 누설 전류를 서브스레숄드, 게이트, 접합 누설로 나누어 원인과 대책을 정리합니다. 꺼진 칩이 전력을 쓰는 이유를 계산 예시로 확인합니다.
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DIBL 현상과 펀치스루, 미세화에서 문턱 전압이 낮아지는 이유
DIBL 현상과 펀치스루가 미세화에서 문제가 되는 이유를 정리합니다. 드레인 전압이 소스 쪽 장벽을 낮추는 과정을 계산 예시와 함께 따라갑니다.
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채널 길이 변조와 단채널 효과, 전류가 평평하지 않은 이유
채널 길이 변조와 단채널 효과가 생기는 원리를 풀어 봅니다. 드레인 전압이 전류와 문턱 전압에 끼어드는 과정을 식과 계산 예시로 정리합니다.
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MOS 커패시터, 문턱 전압을 C-V 곡선으로 읽는 법
MOS 커패시터의 축적, 공핍, 반전 상태와 문턱 전압의 의미를 C-V 곡선으로 풀어 봅니다. 고주파와 저주파 곡선이 달라지는 이유까지 계산 예시로 담았습니다.
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쇼트키 다이오드, 제너와 일반 PN 다이오드와 다른 점
쇼트키 다이오드와 제너 다이오드, 일반 PN 다이오드의 차이를 장벽 구조와 동작 영역으로 비교합니다. 손실과 누설 계산 예시도 함께 담았습니다.
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전자와 정공의 이동도, 차이가 소자 설계에 미치는 영향
전자와 정공의 이동도가 3배 가까이 차이 나는 이유와, 그 차이가 PMOS 폭, 논리 구성, 변형 실리콘 같은 설계에 미치는 영향을 정리합니다.
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N형과 P형 반도체, 불순물 원자가 캐리어를 만드는 원리
N형과 P형 반도체가 만들어지는 원리를 정리합니다. 도너와 억셉터가 전자와 정공을 만드는 과정과 페르미 준위의 위치를 계산 예시로 담았습니다.
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에너지 밴드 이론, 도체와 반도체와 부도체가 갈리는 이유
에너지 밴드 이론으로 도체, 반도체, 부도체가 갈리는 이유를 풉니다. 밴드갭 크기와 빈 상태의 유무가 전기 전도를 정하는 원리를 설명합니다.
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