STI와 LOCOS, 소자 분리 기술이 발전한 과정
STI와 LOCOS의 원리와 공정 흐름, 새 부리 문제가 STI 전환을 이끈 이유, STI에서 새로 생긴 과제까지 정리합니다.
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SOI 웨이퍼, 매몰 산화막 위에 소자를 올리는 이유
SOI 웨이퍼의 구조와 만드는 방법, FD-SOI와 PD-SOI의 차이, 바디 바이어스로 얻는 이점과 쓰이는 분야를 정리합니다.
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어닐링 공정, 이온 주입 손상을 되돌리는 열처리 원리
어닐링 공정이 이온 주입 후 결정을 회복하고 도펀트를 활성화하는 이유와, RTA에서 레이저 어닐까지 열예산 관점으로 정리합니다.
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열산화 공정, 실리콘 표면에서 산화막이 자라는 원리
열산화 공정에서 산화막이 실리콘 표면 위와 아래로 자라는 원리와, 건식과 습식 산화 및 게이트 산화막 형성 과정을 정리합니다.
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에피택시 공정, 결정 위에 같은 결로 결정을 쌓는 원리
에피택시 공정이 기판의 원자 배열을 이어받아 결정을 키우는 원리와, 에피 웨이퍼와 SiGe 스트레서가 쓰이는 이유를 정리합니다.
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스트레인드 실리콘, 전자와 정공 이동도를 높이는 원리
스트레인드 실리콘이 에너지 띠와 유효 질량을 바꿔 전자와 정공의 이동도를 높이는 원리와, 인장과 압축 응력을 주는 공정 방식을 정리합니다.
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데나드 스케일링의 종말, CPU 클록이 멈춘 이유
데나드 스케일링이 전력 밀도를 일정하게 지킨 원리와, 누설과 문턱 전압 때문에 끝나 CPU 클록이 멈추고 멀티코어로 넘어간 과정을 정리합니다.
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CMOS 인버터 전달 특성, 노이즈 마진을 읽는 법
CMOS 인버터 전달 특성 곡선에서 스위칭 문턱 VM과 VIL, VIH, 노이즈 마진 NML, NMH를 읽고 계산하는 법을 가상 예시와 함께 정리합니다.
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배선 RC 지연, 트랜지스터보다 전선이 느려진 이유
배선 RC 지연이 첨단 공정의 병목이 된 이유를 단면적, 길이, 이웃 배선으로 나눠 설명합니다. 가상 계산 예시와 리피터 등 대책도 함께 정리합니다.
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SRAM 6T 셀, 읽기와 쓰기 안정성이 갈리는 이유
SRAM 6T 셀의 구조와 읽기 안정성, 쓰기 여유가 서로 부딪히는 이유를 정리합니다. 셀 비율과 풀업 비율이 접근 트랜지스터 크기를 두고 맞서는 과정을 풉니다.
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